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英特尔、美光发力4Gb NAND闪存技术,50纳米样片问世
    

上网时间:200681
文章来源:电子工程专辑

最近,英特尔和美光(Micron Technology)推出采用50纳米工艺制造的4Gb容量NAND闪存样片。据美光表示,该器件由两家公司的合资企业IM Flash生产。就在几天前,三星电子宣布推迟了8G NAND闪存芯片的发货,因为该公司正在开发每单元存储四比特数据的NAND闪存技术。

而美光表示,此次和英特尔携手推出的是容量为4Gb的样片,他们计划2007年量产各种容量的存储器,均采用50纳米工艺技术。

根据行业研究预测,NAND闪存的市场规模将在2006年达到130160亿美元,并且到2010年发展到大约250亿至300亿美元。美光内存业务副总裁Brian Shirley说,美光在2004年进入NAND闪存业务,当时使用90纳米工艺过程。在很短时间内,通过与英特尔合作,我们现在已经可以推出业界领先的闪存产品。

自从20061月成立,IM Flash Technologies(IMFT)已经开始部署其制造设备。现在,美光通过自己在Boise的工厂向这家合资公司提供NAND闪存。2006年底,位于Manassas300毫米制造厂将上线,为IMFT供应NAND闪存。同时,2007年初IMFT自己的工厂也将在Lehi落成,并将作为其公司总部。

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